宽禁带半导体前沿速递

  为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重点项目建设及投融资热点等核心板块，为行业同仁打造一个全面、权威、高效的信息交流平台。每月更新，持续为行业赋能。若您有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

  北京市经信局、北京市财政局印发《2025年北京市高精尖产业高质量发展项目资金和支持中小企业发展资金实施指南（第一批）》

  北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上获重要进展

  英飞凌与国际汽车供应商 Forvia Hella 进行汽车领域SiC合作

  征世科技：成功研发30 mm×55 mm单晶金刚石散热片及2英寸单晶金刚石晶圆

  呼和浩特经开区管委会与纳星（宁波）半导体有限公司完成金刚石热管理材料产业化项目签约

  近日，工业与信息化部、国家发展改革委、国家能源局等八部门发布《新型储能制造业高水平质量的发展行动方案》（以下简称《行动方案》），提出到2027年，我国新型储能制造业全链条国际竞争优势凸显，优势企业梯队进一步壮大，产业创新力和综合竞争力明显提升，实现高端化、智能化、绿色化发展。

  新型储能制造业是为新型储能提供能量存储、信息处理、安全控制等产品的制造业的总称，以新型电池等蓄能产品和各类新型储能技术为主要领域，也包括电源管理芯片、电力电子器件、热管理和能量控制管理系统等环节。

  《行动方案》鼓励发展多元化新型储能本体技术。提出面向中短时、长时电能存储等多时间尺度、多应用场景需求，加快新型储能本体技术多元化发展，提升新型储能产品及技术安全可靠性、经济可行性和能量转化效率。加快锂电池等成熟技术迭代升级，支持颠覆性技术创新，提升高端产品供给能力。推动超级电容器、铅碳电池、钠电池、液流电池等工程化和应用技术攻关。

  《行动方案》突出多维度新型储能安全。要求围绕新型储能系统生产制造、运行维护、回收利用全生命周期，构建本征安全、主动预警、高效防护、安全应用等多维度技术体系。加强新型储能各技术路线热失控及燃烧爆炸失效机理研究，突破储能电池本征安全与控制技术，支持基于数字孪生和人工智能技术开展新型储能安全预警技术攻关。

  《行动方案》强调推进电源和电网侧储能应用，拓展用户侧储能多元应用。积极鼓励探索火电合理配置新型储能，支持开展新型储能配合调峰、调频等多场景应用。推动新能源集成新型储能和智能化调控手段建设友好型新能源电站。面向数据中心、智算中心、通信基站、工业园区、工商业企业、公路服务区等对供电可靠性、电能质量发展要求高和用电量大的用户，推动配置新型储能。依托“光储充换检”综合性充换电站建设，发挥新型储能在车网互动等新模式中的支撑作用。推动“光伏+储能”系统在城市照明、交通信号、农业农村、公共广播、“智慧车棚”等公共基础设施融合应用，鼓励构建微型离网储能系统。

  北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会等3部门正式印发《北京市加快推进“人工智能+新材料”创新发展行动计划（2025-2027年）》（以下简称《行动计划》），提出到2027年，北京“人工智能+新材料”创造新兴事物的能力明显地增强，发布新一代物质科学大原子模型，研发10个（套）以上垂类模型和自主核心软件，形成15个人AI赋能的标杆性新材料产品。

  《行动计划》从融合创新源头攻关、新材料数据设施构筑、智能实验室建设、新业态培育和创新生态提升等5个方面凝练形成18项具体任务。

  支持材料科学和AI融合创新基础研究，加快材料科学理论突破和前沿新材料发现。基于科学原理与数据融合，开发新一代物质科学大原子模型，围绕新材料细致划分领域，开发新材料智能研发垂类模型与软件系统，打造一批人工智能赋能的标杆性新材料产品，在电池材料、催化材料、新型显示材料、特种合金等细致划分领域，研制一批高性能的关键新材料及器件，强化新材料自主保障能力和一马当先的优势；在高温超导、超材料、低维碳材料等前沿领域，形成一批国际领先的创新成果。

  支持建设国家新材料大数据中心主平台服务门户，谋划制定北京市新材料领域科技项目数据汇交规则，建立北京区域性数据资源节点。建设材料数据标准体系，发挥材料试验技术联盟等行业组织作用，加快制定材料数据采集、存储、确权、流通、共享、应用、价值评估与质量评定等标准规范。充分的利用国家数据要素综合试验区建设契机，发展和应用材料数据隐私计算、区块链等技术，引导材料数据可信流通交易。

  开发新材料智能实验关键技术和装备，形成软硬一体、干湿闭环的解决方案和智能装备，支撑全流程智能实验。围绕电子信息、医药健康、绿色能源、高端装备重点产业的新材料发展需求，建设一批标杆新材料智能实验室。支持开放智能实验室和中试平台建设，打造“人工智能+新材料”公共服务平台和高能级创新平台。

  培育一批专业化市场主体，包括新材料细致划分领域AI算法模型、智能体、工具软件、数据等服务商，以及智能装备提供商和系统集成商。探索新材料研发流程模块化，鼓励研发模块服务外包，培育新材料研发服务新模式。同时，加速人工智能、大数据等技术在新材料研发生产制造全流程的赋能应用。

  推动央国企率先开展“人工智能+新材料”融合创新，带动上下游企业加快前瞻布局和转型升级，培育壮大创新主体。加强“人工智能+新材料”人才多元梯次培养，建设“人工智能+新材料”创新社区，促进国际交流与合作，强化科学技术金融赋能作用，打造“人工智能+新材料”融合创新示范基地。

  北京市经信局、北京市财政局印发《2025年北京市高精尖产业高质量发展项目资金和支持中小企业发展资金实施指南（第一批）》

  根据《北京市高精尖产业高质量发展项目资金管理办法》《北京市支持中小企业发展资金管理办法》等文件规定，北京市经济和信息化局、北京市财政局发布了《2025年北京市高精尖产业高质量发展项目资金和支持中小企业发展资金实施指南（第一批）》，支持企业调结构、强能力，注重提升产业科学技术创新能力，强化企业梯队建设，壮大特色优势集群，促进产业数字化绿色化发展，提高产业高质量发展质效。支持方向扩展到18个（企业培育奖励、并购贷款贴息、战略性项目贷款贴息、中小企业服务体系绩效评价奖励、中小企业创新创业奖励、北京“专精特新”专板股权融资奖励、“创赢未来”项目奖励、集成电路设计产品首轮流片奖励、医药创新品种产业规模化奖励、机器人创新产品首试首用奖励、商业航天保险补贴、重点新材料首批次应用示范奖励、打造行业标杆示范首方案奖励、重点共享开源项目奖励、数据要素市场示范奖励、“新智造100”项目奖励、绿色低碳发展项目奖励、老旧厂房更新利用奖励），覆盖十大高精尖产业、未来产业及数字化的经济等重点领域，集聚推动大中小企业融通创新发展，加大普惠类政策资金投放，最高支持5000万。

  北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上获重要进展

  北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。相关成果2025年2月5日以“从原子尺度上理解氮化物半导体中的位错攀移：不对称割阶的影响”（Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs）为题在线发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）上。

  在六方结构的氮化镓外延生长过程中，位错主要以攀移方式运动，但至今仍然缺乏对位错攀移运动的原子级表征和理解。常规的电镜技术只能获得晶体中静态的位错二维投影图像，要观测到位错的原子尺度运动过程依然面临巨大挑战。

  针对上述关键科学问题和应用需求，北京大学杨学林、沈波团队对氮化镓外延薄膜中位错的原子尺度攀移过程进行了深入研究。通过采用扫描透射电子显微镜(STEM)的深度切片技术，结合精心设计的外延结构调控位错攀移倾角，使其与STEM的深度分辨率精准匹配，成功捕捉到了单根位错线的原子级攀移过程，并发现混合位错中的5环不全位错以“5-9”原子环循环交替的方式来进行攀移。在此基础上，合作单位北京计算科学研究中心黄兵团队利用模拟计算确认了位错割阶的原子结构和电子结构，并提出了“费米能级调控割阶形成”的新机制，为“掺杂怎么样影响位错攀移”这一问题的理解提供了全新的物理视角。

  10.1038/s46-9）的最新研究论文，发现了高温高压下石墨经由后石墨相形成六方金刚石的全新路径，并“首次”合成出高质量六方金刚石块材，发现其具有高出立方金刚石的极高硬度和良好的耐热性。该成果不仅提供了一种纯相六方金刚石人工合成的有效途径，给出了其独立存在的有力证据，也为超硬材料和新型碳材料添加了性能更为优异的新成员，为突破立方金刚石的应用局限提供了可能；该成果对进一步探索陨石中钻石的具体来源和重大地质事件也有着重要意义。

  格拉斯哥大学詹姆斯瓦特工程学院的戴维莫兰教授领导的研究团队与来自澳大利亚皇家墨尔本理工大学和美国普林斯顿大学的合作伙伴共同设计出新型的金刚石晶体管。该晶体管可默认处于关闭状态——这对于确保开启时承载大量电流的设备的安全至关重要。该金刚石晶体管可应用于需要大电压且格外的重视效率的领域，例如电网或电动汽车。其成果发表在《先进电子材料》杂志上。

  电力电子面临的挑战是，开关的设计需要能够在不使用时保持牢固关闭状态以确保其符合安全标准，但在打开时也必须要提供非常高的功率。

  在格拉斯哥大学詹姆斯瓦特纳米制造中心，研究小组利用表面化学技术来改善金刚石的性能，先用氢原子涂覆金刚石，然后再涂覆氧化铝层。使其金刚石晶体管需要6伏才能打开，是以前的金刚石晶体管的两倍多，同时在激活时仍能提供大电流。

  他们还改进了电荷在器件中的移动效率，性能比传统的金刚石晶体管提高了一倍，进而可提升器件的效率。

  2月13日，根据日本EDP公司官网，宣布成功开发出全球最大级别30×30 mm以上的金刚石单晶，刷新行业纪录！此前30×30 mm以上基板需采用多晶拼接技术，现可通过离子注入剥离技术实现大尺寸单晶基板。

  尺寸：15×15毫米至30×30毫米（15×15毫米以下的单晶基板已上市。）

  日本国立材料研究所廖梅勇团队证明了利用Ib型单晶金刚石（SCD）衬底表面态和深层缺陷的协同效应，能轻松实现低工作电压（5 V）的超高增益DUV光电探测器（PD）。金刚石DUV- PD的整体光响应，如灵敏度、暗电流、光谱选择性和响应速度，能够最终靠SCD衬底表面的氢或氧终止来简单地定制。在220 nm光下，DUV响应率和外量子效率分别超过2.5×104A/W和1.4×107%，与PMT相当。DUV/可见光抑制比（R220 nm/R400 nm）高达6.7×105。深氮缺陷耗尽二维空穴气体提供了低暗电流，在DUV照射下电离氮的填充产生了巨大的光电流。表面态和本体深度缺陷的协同效应为开发与集成电路兼容的DUV探测器开辟了道路。

  2025年2月21日，天科合达与慕德微纳在徐州签署投资合同，共同出资成立合资公司。双方将在AR衍射光波导镜片研发技术与市场推广方面展开深度合作，一同推动AR行业的技术创新与应用落地。

  此次签约后，双方将紧密合作，天科合达将凭借其在碳化硅衬底领域的深厚技术积累，为慕德微纳提供满足 AR 衍射光波导需求的高质量碳化硅衬底产品。慕德微纳则将利用自身在微纳光学技术和AR光波导加工方面的优势，逐步优化 AR 衍射光波导的性能。此次合作将加速AR衍射光波导镜片的技术突破，推动AR行业向更高性能、更轻量化方向发展。同时，双方优势互补，有望在全球AR市场中占据领先地位。

  英飞凌与国际汽车供应商 Forvia Hella 进行汽车领域SiC合作

  据了解，英飞凌的Cool SiC MOSFET采用Q-DPAK封装，专为800 V汽车架构中的车载充电器和 DCDC 应用而设计，该封装的爬电距离为4.8 mm，无需额外的绝缘涂层就可以实现超过900 V的工作电压，基于Gen1p 技术，0V关断可实现单极栅极控制，从而通过减少PCB中的元件数量来简化设计。

  2月11日，麦格纳在官网宣布，他们已与梅赛德斯-奔驰扩大长期创新合作伙伴关系，并将为后者提供采用碳化硅技术的电驱动系统。

  文章进一步透露，麦格纳已为梅赛德斯-奔驰生产了超过50万辆越野车。接下来，麦格纳将通过开发和工程服务加强合作伙伴关系，为梅赛德斯-奔驰提供eDS Duo 电驱动系统，直至梅赛德斯-奔驰标志性越野车的全新电动车型实现生产。资料显示，eDS Duo 是一款双速双电机驱动装置，凭借先进的碳化硅和解耦等技术，在保持高效率的可提供卓越的性能，其功率高达 240 kW，具有领先的牵引力和越野能力，并包括车轮独立推进系统。2024年，麦格纳已经在位于奥地利兰纳赫的工厂开始生产 eDS Duo。麦格纳动力总成总裁Diba Ilunga表示：“麦格纳曾为梅赛德斯-奔驰标志性越野车供应过三代分动箱，现在很荣幸能为这款传奇车型配备第一代电动装置。eDS Duo 展示了麦格纳提供动力总成解决方案的灵活方法，可协助客户无缝从内燃机过渡到电动汽车。”

  为降低SiC材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：

  有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。

  近日，江苏集芯先进材料有限公司推出两用碳化硅晶片倒角机。该款倒角机的核心功能在于其兼容两种不一样的尺寸的碳化硅晶片，且在调整尺寸时无需更换打磨台。这一独特设计的优点是可以有很大成效避免因换台而引起的碳面与硅面间幅差异，确保了晶片的加工精度。这一创新不仅降低了操作的复杂性，还明显提高了生产效率，体现了当前先进制造业向智能化、简便化迈进的趋势。

  根据加工要求与工艺特点，选用五轴微射流激光加工设施，成功完成 AR 镜片外形切割后，又在碳化硅 AR 镜片外形切割块上顺利实施去端切片，获得厚度为 0.65mm 的高品质镜片切片。

  经检测，碳化硅晶体切割边缘无热影响、崩边和缺口等瑕疵，加工完成的 AR 镜片切片的表面粗糙度精准控制在 0.5 - 0.7μm 区间，充分验证了微射流激光技术在实际生产中的可行性与优越性。碳化硅晶体的切割达到预期效果，切割边缘无热影响和崩边、缺口等现象；如图所示，加工完成的AR镜片的切割面粗糙度Ra=0.662μm。

  在湖北省荆州市磁共振新技术论坛上，联影医疗首次将 SiC 材质与磁共振的核心部件梯度功率放大器（GPA）结合，能够最大化释放GPA性能，并搭载全新磁共振可持续性发展解决方案，可为客户节省高达57%的能耗，助力绿色医疗建设。

  在SiC材料的加持下，联影医疗首创SiC GPA，为磁共振设备赋予了新能源动力系统。SiC 材料具备高电子饱和速度的特性，电子在其中传输时，如同在高速上行驶般畅行无阻，这一特性大幅度降低了器件损耗，降幅超过 60% 。在实现相同临床效果的前提下，全序列功率降低幅度超过 50%。

  此外，SiC的低损耗特性使其在工作过程中产生的热量大幅度降低，且可以在更高温度下可靠运行，故其能够更好的降低散热系统的设计的基本要求和尺寸。联影医疗通过SiC GPA和智能水冷系统结合的全新设计，水冷功率降低了40%，设备年能耗从300吨标准煤骤降至129吨，节约能源的效果非常显著。

  2月14日，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品。据悉，这一些产品将在奥地利菲拉赫制造，为包括可再次生产的能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供一流的碳化硅功率技术。

  这一举措标志着英飞凌在碳化硅技术应用上迈出了重要一步，有望逐步提升相关领域的能源效率和性能表现。尤其在电动汽车领域，英飞凌不断拓展合作版图。英飞凌在生产布局上也有着重大进展，其位于马来西亚居林的制造基地正顺利从150毫米晶圆向200毫米直径晶圆转换，其新建Module 3 厂房已准备好依据市场需求开始大规模生产。

  征世科技：成功研发30 mm×55 mm单晶金刚石散热片及2英寸单晶金刚石晶圆

  2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下简称：征世科技）宣布在单晶金刚石散热片领域取得重大突破，成功研发出尺寸达30 mm×55 mm的单晶金刚石散热片。该产品具有以下优势：

  1）热导率高达2000 W/(m·K)，是传统铜、铝等散热材料的5倍以上，可快速将热量从热源导出，大大降低芯片结温。

  2）优异的绝缘性能：电阻率高达1016 Ω·cm，可有很大成效避免电磁干扰，保证电子设备的稳定运行。

  同日，征世科技宣布成功研发出2英寸（1英寸=2.54 cm）单晶金刚石晶圆。

  近期，中科半导体团队推出首颗基于氮化镓（GaN）可编程具身机器人动力系统芯片。芯片采用SIP封装技术，内置硬件加速引擎、高速接口、PWM信号阵列可编程单元及边缘图像处理和各类传感器及生物信息采集的高速接口。

  该芯片主要使用在于多关节具身机器人及智能装备领域，根据推理大模型生成的3D虚拟模型与姿态坐标，通过芯片自带的“边缘物理模型”输出的阵列PWM电流信号控制上100条仿真肌肉及伺服电机系统来完成复杂的原子操作，单个姿态运动达32个自由度。

  通过“边缘物理模型”输出PWM信号控制物理量信号，使机器人具有人一样的复杂肢体动作和物理质量的约束。

  Wolfspeed近日发布了全新的第4代（Gen 4）技术平台，该平台从设计端就考虑耐久性和高效性，同时还能降低系统成本、缩短开发时间。第4代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计，并为 Wolfspeed 的各种类型的产品（包括功率模块、分立元件和裸芯片产品）制定了长远的发展规划路线图。这一些产品目前有750 V、1200 V 和 2300 V 等级可供选择。

  第 4 代技术将依托Wolfspeed的高效 200 mm 晶圆交付，该技术将为大功率汽车、工业和可再次生产的能源系统的设计人员带来显著的性能提升，主要优势包括：

  （1）整体系统效率：在工作时候的温度下，导通电阻降低高达 21%，开关损耗降低高达 15%；（2）耐久性：确保可靠的性能，包括高达 2.3 μS 的短路耐受时间，以提供额外的安全余量；（3）更低的系统成本：简化设计流程，降低系统成本、缩短开发时间。

  华润微电子于近期在重庆举办了功率模块新品发布会，推出了基于高压超结MOS、IGBT、SiC的多种PIM模块、车规主驱模块及IPM模块等系列新品。这些新品主要使用在于新能源汽车的车载充电机（OBC）、主驱逆变器、高压直流转换器（DC-DC）等核心部件，以及新能源发电、工业控制、白电等领域。

  据悉，华润微电子的SiC模块产品有DCM系列半桥功率模块、MSOP系列半桥功率模块、HPD系列全桥功率模块，具有高功率密度、低开关损耗、小型化设计、高散热性等特点，能够明显提升新能源汽车的系统效率和续航能力。据华润微电子有关负责的人介绍，截至目前，华润微电子已有56款车规级功率芯片实现量产，郑重进入重庆某主机厂的供应链名单。以半桥功率模块为代表的产品，已向国内多家头部新能源车企批量供货。

  近日，苏州立琻半导体有限公司(LEKIN)发布行业首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片——LEKIN-SiMiP®，并与惠科等多家显示客户展开合作，实现其在微间距LED大屏直显应用验证。该技术规避了巨量转移难题，大幅度的提高了直通良率，推动我们国家在微间距LED大屏直显技术领域跻身全球前列。

  立琻半导体基于自有的硅基GaN高效Micro-LED技术基础，瞄准超高的性价比的微间距LED大屏直显应用需求，自主研发了单芯全彩化SiMiP显示芯片技术。SiMiP是一种高阶MiP技术，通过单芯集成红绿蓝三基色像元，无需复杂的巨量转移和修复工艺，只需一次固晶即可将芯片转移到驱动背板上。该技术可大幅度提高微间距LED显示模组生产的直通良率，明显降低生产所带来的成本，兼具高性能与低成本的优势，为微间距LED大屏直显应用提供了更具竞争力的解决方案。

  2月13日，理想汽车在微博平台上宣布，他们自研的碳化硅功率芯片完成装机，自研的自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成已分别在理想汽车苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线。理想汽车还表示，这三大核心技术将陆续搭载于理想纯电车型。

  电驱动总成是理想“三电”战略的核心，理想汽车通过垂直整合核心技术（如SiC模块、电驱动），未来将结合SiC模块和800V平台，逐步优化能耗和充电性能，支撑纯电车型的市场竞争力。

  钧联电子：安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线日，钧联电子成功举行了“安徽省首条先进工艺碳化硅车规功率模块产线下线仪式”。随着该条产线的全面投产，标志着钧联电子完成了功率模块-电机控制器-电驱动总成全链闭环的关键拼图，

  在新能源汽车电驱系统的核心技术突破与产业化进程迈入全新阶段。目前，钧联电子已获新能源汽车领域多家主机厂的电驱、电控量产订单与项目，并且还与eVTOL航空器头部主机厂深度合作，其800V高压碳化硅工艺模块已经在多家主机厂完成验证并批量供货。

  呼和浩特经开区管委会与纳星（宁波）半导体有限公司完成金刚石热管理材料产业化项目签约

  2月9日，呼和浩特经开区管委会与纳星（宁波）半导体有限公司举行金刚石热管理材料产业化项目签约仪式，标志着双方在半导体材料领域的合作迈出关键一步，将为经开区的产业升级和经济发展注入新动力。

  本次签约的金刚石热管理材料产业化项目总投资 1.2 亿元，其中固定资产投资 1 亿元。项目全部达产后，预计可实现年产值 1 亿元，年纳税约 700 万元，带动当地就业约 40 人。该项目的落地，将加强完善经开区在半导体材料产业链的布局，提升区域产业竞争力。

  据悉，纳星（宁波）半导体有限公司是一家专注于MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）专用设备研发与生产的先进制造企业。其设备在金刚石半导体领域应用广泛，公司自主研发的热管理用金刚石薄膜产品，依托河南省科学院的人才优势，运用前沿制造技术，在大尺寸金刚石晶圆研发及生产方面成果显著。

  2月5日，衢州市委召开“工业强市、产业兴市”打造高水平发展建设共同富裕示范区市域样板推进会。会上共有76个项目签约，计划总投资594.5亿元。其中：现场集中签约项目26个，计划总投资451.5亿元；场外签约项目50个，计划总投资143亿元。

  现场集中签约项目中涉及多个半导体相关项目，包括浙江芯谷半导体产业园、半导体核心零部件项目、氮化铝单晶衬底项目、6英寸化合物衬底项目。

  项目计划总投资17.7亿元，用地面积221亩，建设浙江芯谷半导体产业园。达产后预计可实现年营业收入18亿元，年税收9000万元。

  项目计划总投资10亿元，用地面积150亩，建设年产5万片2-6英寸AlN单晶衬底生产线。达产后预计可实现年营业收入10亿元，年税收1.5亿元。

  项目计划总投资10亿元，用地面积30亩，建设厂房约2万平方米，主要建设6英寸化合物衬底生产线。达产后预计可实现年营业收入10亿元，年税收5000万元。

  近日，《南京市2025年经济社会持续健康发展重点项目名单》正式对外发布，2025年南京市重点项目共500个。其中，实施项目443个，前期项目57个。从产业类别看，实施项目中科创项目63个，先进制造业项目228个。其中，先进制造业项目中上榜的集成电路项目共18个，包括：

  展芯半导体总部、南京国兆光电OLED微显示器件扩产、南京诚志高端光学新材料、中江IGBT半导体功率模块覆铜陶瓷基板产业化等实施项目也上榜。

  此外，前期项目包括南京8英寸第三代半导体晶圆线、昀光科技高性能硅基OLED微显示器研发及产业化、茂莱精密光学产业基地等项目。

  2月7日，据韩媒Etoday报道，SK 集团已经与三星电子、Above Semiconductor 共同参与了国家项目“SiC·GaN 功率半导体”的联合开发，并计划在今年开始量产8英寸 SiC 衬底。

  据SK 集团董事长崔泰源透露，他们正在加速对 SiC 衬底的投资，并将其作为继高带宽存储器 (HBM) 之后的下一代增长引擎，并计划在韩国和美国之间建立双重生产体系，于今年开始量产8英寸 SiC 衬底以抢占市场。

  值得注意的是，SK Siltron的韩国工厂主要分布在龟尾市和利川市，主要生产硅衬底，SiC衬底产能以美国工厂为主。据此来看，SK Siltron或将增加韩国本土的SiC衬底产能，并生产8英寸SiC衬底。

  据报道，SK 集团的美国子公司SK Siltron CSS主要生产碳化硅衬底和外延片，其在美国密歇根州奥本市、贝城分别拥有两座工厂，并获得美国能源部4.815亿美元（约34.8亿人民币）的贷款。

  2022年3月，SK Siltron CSS的贝城 SiC 工厂正式投入运营，年产量预计在6万片左右，第二阶段扩建预计2025年完成，届时SK Siltron的6吋 SiC 衬底产能将增加到每年50万片。

  2月18日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（下称“中微公司”）与成都高新区签订投资合作协议，企业将在成都高新区设立全资子公司——中微半导体设备（成都）有限公司，专注于高端逻辑及存储芯片相关设备的研发和生产，涵盖化学气相沉积设备、原子层沉积设备及其他关键设备。同时将建设研发及生产基地暨西南总部项目。

  项目总投资额约30.5亿元，注册资本1亿元，并计划购地50余亩，用于建设研发中心、生产制造基地、办公用房及附属配套设施，以满足量产需求。项目拟于2025年启动建设，2027年正式投入生产。

  近日，武汉净澜检测有限公司在官网公布了《智新半导体二期产线建设项目阶段性竣工环境保护验收监测报告表》，其中透露了智新半导体的SiC模块封装产线建设进展。

  据悉，该项目属于技改项目，位于武汉市经开区，总投资约为1.63亿，计划在原有智新半导体有限公司租赁车间内新增1条自动化IGBT模块封装线，同时新增银烧结相关工艺设备，具备SiC模块研发及生产能力。

  本次验收范围只包含智新半导体二期产线建设项目已建设完成运行部分，目前芯片划片工艺暂未建设。具体来看，该项目于2023年5月8日开工建设，2024年1月4日竣工，2024年4月调试运行，将新增产能IGBT模块38万只/年、IGBT模块（SiC模块）2万只/年，结合原有IGBT模块30万只/年的产能，合计产能达70万只/年。

  据珠海市工业和信息化局消息，2月5日，珠海各区（功能区）举行2025年第一季度重点项目开工仪式，其中奕源半导体材料产业基地正式开工，一期项目预计于2026年上半年实现投产。该项目总投资约100亿元，

  主要生产具有全球领先工艺技术水平的合成石英部件、碳化硅功率模组载板等。其中，碳化硅功率模组载板是碳化硅模组封装的核心组件，是解决碳化硅高功率模块散热和提升可靠性的关键材料。信息来源：

  近日，据印度时报报道，印度理工学院布巴内斯瓦尔分校与私营公司 SiCSem 联合开设了一个碳化硅研究及创新中心—SiCRIC，将致力研究6、8英寸碳化硅晶锭及衬底的大批量生产技术。

  据悉，该中心的投入成本为4.45亿卢比（约合人民币0.37亿），将为SiCSem位于印度奥里萨邦的 SiC 设备制造和 ATMP（半导体制造后道工序）工厂提供技术上的支持，该工厂总投资为300亿卢比（约合人民币25亿），已成功奠基。

  印度理工学院布巴内斯瓦尔分校校长 Shreepad Karmalkar 表示，印度中央政府已批准了多个重要的半导体项目，而奥里萨邦也吸引了 SicSem 、RIR Power Electronics 等复合半导体工厂。学院及研究中心将致力于为半导体（尤其是复合半导体）行业提供从粉未到晶体到晶圆再到封装的全流程技术探讨研究、创新和技能培训。

  2月25日，据“德清组工”官微透露，“中大功率氮化镓芯片及其模组”总部项目已落户浙江市德清县，其主体为湖州镓奥科技有限公司。

  镓奥科技成立于2024年11月，是一家专注于氮化镓功率器件及其模组研发、生产和销售的创新型企业，团队核心技术为“国产替代”氮化镓中大功率芯片和“国产设计”中大功率模组，并拥有自主知识产权，技术处于行业领头羊，主要应用领域为AI和新能源两大赛道。信息来源：

  近期，据某建设项目环境信息公示平台文件透露，由雅安国镓芯科半导体科技有限公司建设的氮化镓生产基地项目（一期）已通过竣工环境保护验收，建成投产后将生产氮化镓衬底。

  ，位于四川省雅安市，主要建设内容有生产车间（生长区、HVPE区、装料取晶区）、原料储存区等配套工程，于2024年1月1日开工建设，2024年5月10日建成，投产后将形成年产单晶氮化镓衬底数千片的生产能力。信息来源：

  2月9日上午，制局半导体先进封装模组制造项目开工仪式在南通高新区举行。制局半导体是小芯片和异构集成技术先行者，致力于为客户提供系统芯片及模组整体解决方案。此次开工的制局半导体（南通）有限公司先进封装（Chiplets）模组制造项目总投资10.5亿元，为客户提供Chiplet模组整体解决方案，帮助客户克服大芯片设计、成本的限制。

  项目的顺利开工，标志着公司向AI、5G、汽车电子模组制造体系自主可控、国际领先的目标迈出了坚实一步。信息来源：

  据“今日恭城”官微消息，2月8日，桂林市重大产业项目现场推进会（恭城分会场）暨恭城仟领莫桑石和碳化硅材料生产等两个项目集中开竣工仪式在开花山创新科技产业园举行。

  据介绍，莫桑石和碳化硅材料作为新一代高性能材料，在电子、光学、新能源等领域展现出巨大的应用潜力，是推动产业升级、引领科学技术创新的关键力量。仟领莫桑石和碳化硅材料生产项目计划于2025年11月竣工投产，

  鲁欧智造凭自身的砥砺奋进，于2024年除夕前圆满完成了A+轮数千万融资，由中关村发展集团启航投资领投、源禾资本跟投。

  鲁欧智造（山东）数字科技有限公司（以下简称“鲁欧智造”）力求在电子热管理领域进行共性技术创新，此前A轮融资获得知名机构深创投及中科创星的投资。公司的目标是构建完整TDA(Thermal Design Automation)工具生态链，涵盖测量→建模→仿真→应用→数字资产，形成被全世界广泛接受的热数字孪生技术体系，成为TDA行业的世界级领先企业。鲁欧智造以“三驾马车”为核心战略，全面布局测试设备、仿真软件以及集成电路业务。

  2月19日，青岛思锐智能科技股份有限公司（以下简称“思锐智能”）拟冲击A股IPO的消息引发市场广泛关注。2025年2月7日，思锐智能顺利完成股份制改制，企业名称正式变更为“青岛思锐智能科技股份有限公司”，这为其IPO之路奠定了坚实基础。

  官网显示，思锐智能成立于2018年，总部在青岛，在北京、上海设有研发中心。企业主要聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，提供具有自主可控的核心关键技术的系统装备产品和技术服务方案。公司产品有原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备，大范围的应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖领域。从股权结构来看，思锐智能无控制股权的人、无实际控制人，第一大股东为中车青岛四方车辆研究所有限公司，持股票比例为19.48%。

  2月11日晚间，港交所网站显示，宁德时代正式向港交所提交上市申请。若流程顺利，有望成为去三年港股最大一笔IPO，并为宁德时代拓展境外融资渠道，加入其海外扩张。

  宁德时代在去年12月即宣布，拟发行境外上市外资股股票，并申请在港交所主板挂牌上市。当时陆媒指出，若中国大陆监督管理的机构审核等流程顺利，宁德时代会在2025年正式登陆港股，成为继2021年短影音软体公司快手在香港上市后，过去三年港股最大一笔IPO。

  湖南新锋科技有限公司（以下简称：新锋科技）自2019年成立以来，凭借其在金刚石材料创新功能应用领域的卓越表现

  ，一直处于行业前沿。继达晨财智、香柏泓石等机构A轮投资后，2025年1月，由中科创星领投、湘江国投跟投的新一轮战略融资顺利完成。前后融资总额达数千万元，国资占比约64%（含中央14%，地方50%）。公司在电化学、热学、光学等多领域产业研创布局、智能产业基地建设、新产品线开发等方面，进入全面提速阶段。同时，将以此为契机，深化产学研用合作，持续深耕金刚石材料在多元领域的创新应用，全力实现“突破科技研用壁垒，解决全球面临挑战，助力世界持续发展，改善人类健康生活”的企业使命。派恩杰半导体：完成近5亿元融资

  2月21日，设计企业派恩杰半导体完成近5亿A轮融资，主要投资方包含宁波通商基金、宁波勇诚资管、上海半导体装备材料产业投资基金、南京创投、山证创新、坤泰资本等。融资完成后，公司将加速碳化硅与氮化镓功率器件产业化。消息显示，其主攻的第三代半导体已逐步量产。

  近日，据亿欧网报道，江苏尊阳电子科技有限公司已完成B轮融资，由知名投资机构新潮创投投资。据悉，尊阳电子成立于2021年5月，是一家专注于功率器件与功率IC研发制造的高新技术企业。其产品线涵盖光电产品、IGBT、第三代半导体等多个领域。文章进一步透露，此次融资将助力尊阳电子进一步加大研发力度，提升产品竞争力，推动公司在功率器件领域的创新与发展。新潮创投的加入，不仅为尊阳电子带来了资金支持，更带来了丰富的产业资源与市场渠道，有望助力公司实现加快速度进行发展。需要我们来关注的是，2024年5月，尊阳电子在官微宣布他们已与北京昕感科技有限责任公司签订合资协议，成立江苏昕阳电子科技有限公司。

  以上就是本期《产业信息简报（二月）》的全部内容，再次感谢您的关注与支持！未来，我们将持续深耕宽禁带半导体领域，不断探索与创新，力求为您提供最前沿、最全面的宽禁带半导体产业信息。如果您有任何建议或要进一步的信息支持，欢迎随时与我们联系。期待与您共同见证宽禁带半导体产业的蓬勃发展！